很多人分不清模擬地與信號地的區(qū)別，有時候也就不區(qū)分?jǐn)?shù)字地與模擬地，但這樣就使得電路質(zhì)量下降，影響了電路的性能：
模擬電路涉及弱小信號，但是數(shù)字電路門限電平較高，對電源的要求就比模擬電路低些。既有數(shù)字電路又有模擬電路的系統(tǒng)中，數(shù)字電路產(chǎn)生的噪聲會影響模擬電路，使模擬電路的小信號指標(biāo)變差，克服的辦法是分開模擬地和數(shù)字地。
對于低頻模擬電路，除了加粗和縮短地線之外，電路各部分采用一點接地是抑制地線干擾的最佳選擇，主要可以防止由于地線公共阻抗而導(dǎo)致的部件之間的互相干擾。
而對于高頻電路和數(shù)字電路，由于這時地線的電感效應(yīng)影響會更大，一點接地會導(dǎo)致實際地線加長而帶來不利影響，這時應(yīng)采取分開接地和一點接地相結(jié)合的方式。
另外對于高頻電路還要考慮如何抑制高頻輻射噪聲，方法是：盡量加粗地線，以降低噪聲對地阻抗；滿接地，即除傳輸信號的印制線以外，其他部分全作為地線。不要有無用的大面積銅箔。
地線應(yīng)構(gòu)成環(huán)路，以防止產(chǎn)生高頻輻射噪聲，但環(huán)路所包圍面積不可過大，以免儀器處于強磁場中時，產(chǎn)生感應(yīng)電流。但如果只是低頻電路，則應(yīng)避免地線環(huán)路。數(shù)字電源和模擬電源最好隔離，地線分開布置，如果有A/D，則只在此處單點共地。
低頻中沒有多大影響，但建議模擬和數(shù)字一點接地。高頻時，可通過磁珠把模擬和數(shù)字地一點共地。
如果把模擬地和數(shù)字地大面積直接相連，會導(dǎo)致互相干擾。不短接又不妥，理由如上有四種方法解決此問題∶1、用磁珠連接；2、用電容連接；3、用電感連接；4、用0歐姆電阻連接。
磁珠的等效電路相當(dāng)于帶阻限波器，只對某個頻點的噪聲有顯著抑制作用，使用時需要預(yù)先估計噪點頻率，以便選用適當(dāng)型號。對于頻率不確定或無法預(yù)知的情況，磁珠不合。
電容隔直通交，造成浮地。
電感體積大，雜散參數(shù)多，不穩(wěn)定。
0歐電阻相當(dāng)于很窄的電流通路，能夠有效地限制環(huán)路電流，使噪聲得到抑制。電阻在所有頻帶上都有衰減作用(0歐電阻也有阻抗)，這點比磁珠強.
